蒸着材料
- アルミナ (Aluminium Oxide=Al2O3)
- フッ化マグネシウム (Magnesium Fluoride=MgF2)
- 一酸化珪素(Silicon Monoxide=SiO)
- 二酸化珪素(Silicon Dioxide=SiO2)
- 酸化チタン(Titanium Dioxide=TiO2)
- 五酸化タンタル(Tantalum Pentoxide=Ta2O5)
- 硫化亜鉛(Zinc Sulfide=ZnS)
- 酸化ジルコニウム(Zirconium Dioxide=ZrO2)
アルミナ
(1) 分子量 | 101.96 |
(2) 外観 | 無色透明の顆粒状 |
(3) 比重 | 3.97g/cm 3 |
(4) 融点 | 2040℃ |
(5) 沸点 | 5500℃ |
(6) 蒸気圧 | 1900℃:1Pa 2200℃:10Pa |
(7) 線膨張率 | 50℃:6.1×10 -6 / K |
(8) 比熱容量 | 27℃:0.78J/gK |
(9) 硬度 | モース:9 ヌープ:1370Kg/m ㎡ |
(10) 溶解性 | 水に不溶性、酸・アルカリに難 溶 性 |
(11) タイプ分析 | Iron(Fe) ≦35ppm Cobalt(Co) ≦10ppm Chromium(Cr) ≦10ppm Copper(Cu) ≦10ppm Manganese(Mn) ≦10ppm Nickel(Ni) ≦10ppm |
(12) 薄膜特性 | 透光範囲 ~200~5000nm 屈折率 (500nm) 基盤温度 30℃:1.60 屈折率 (500nm) 基盤温度 300℃:1.63 |
(13) 蒸発方法 | 電子ビームによる蒸発 蒸発温度~2000~2200℃ 沈着速度 ~1nm/s 酸素分圧 ~10 -2 Pa |
(14) 用途 | 反射防止膜、多層膜、干渉薄膜、保護膜等 |
フッ化マグネシウム
(1) 分子量 | 62.32 |
(2) 外観 | 無色透明の粒状 |
(3) 比重 | 3.18g/cm 3 |
(4) 融点 | 1260℃ |
(5) 沸点 | 2239℃ |
(6) 蒸気圧 | 1150℃:1Pa 1300℃:10Pa |
(7) 体膨張率 | 3.2×10 -5 / K |
(8) 比熱容量 | 1KJ/KgK |
(9) 熱伝導率 | 3.15W/mK |
(10) 硬度 | モース:5-6 ヌープ:576Kg/m ㎡ |
(11) 溶解性 | 硝酸に溶解 |
(12) タイプ分析 | Fe ≦30ppm Cu ≦15ppm Co ≦15ppm Cr ≦15ppm Mn ≦10ppm Ni ≦10ppm |
(13) 薄膜特性 | 透光範囲 130~7000nm 屈折率:210nm ~1.42 屈折率:550nm ~1.38 屈折率:2800nm ~1.36 屈折率:5300nm ~1.33 吸収係数:500nm 10 -4 構造 基板温度(常温):不定形 基盤温度 250℃以上:結晶質 |
(14) 蒸発方法 | モリブデン敷板もしくは電子ビーム 基盤温度 ~200~300℃ 蒸発圧力 5×10 -3 Pa |
(15) 用途 | 反射防止膜、多層膜、ビームスプリッター、等 |
⼀酸化珪素
(1) 分子量 | 44.09 |
(2) 外観 | 茶色の粉状、黒色の粒状・塊 |
(3) 比重 | 2.13g/cm 3 |
(4) 融点 | 1705℃ |
(5) 蒸気圧 | 1080℃:1Pa 1180℃:10Pa |
(6) 溶解性 | 水に不溶性、8-フッ化水素酸に溶解 |
(7) 純度 タイプ分析 | 99.95% min
Fe ≦35ppm Cr ≦15ppm Cu ≦15ppm Mn ≦15ppm Ni ≦10ppm |
(8) 薄膜特性 | 透光範囲 440~8000nm 屈折率 550nm ~1.55 |
(9) 蒸発方法 | モリブデン、タングステン敷板もしくはタンタル敷板 蒸発温度 ~1200~1600℃ |
(10) 用途 | 反射防止膜、保護皮膜、干渉膜、宝石等 |
⼆酸化珪素
(1) 分子量 | 60.06 |
(2) 外観 | 無色透明の粒状 |
(3) 比重 | 2.202g/cm 3 |
(4) 融点 | 1700℃ |
(5) 蒸気圧 | 2000℃:1Pa 2200℃:10Pa |
(6) 線膨張率 | 0.5×10 -6 /K(293-1173K) |
(7) 比熱容量 | 0.201Cal/g.K |
(8) 熱伝導率(20℃) | 0.00285Cal/K.cm.s(287K) |
(9) 硬度 | モース:5.5 ヌープ:461g/m ㎡ |
(10) 溶解性 | 水に不溶性、フッ酸に溶解 |
(11) タイプ分析 | Fe ≦30ppm Cr ≦15ppm Cu ≦15ppm Mn ≦15ppm Ni ≦15ppm |
(12) 薄膜特性 | 透光範囲 200~8000nm 屈折率:550nm ~1.46 |
(13) 蒸発方法 | 蒸発温度 ~1700℃ 蒸発圧力 5×10 -3 Pa |
(14) 用途 | 多層膜コーティング、反射防止膜、ビームスプリッター、キャパシタ膜 |
酸化チタン
(1) 分子量 | 77.9 |
(2) 外観 | 黒色もしくは白色のタブレット、顆粒 |
(3) 比重 | ルチル 4.26g/cm 3 ブルッカイト 4.17 g/cm 3 アナターゼ 3.84 g/cm 3 |
(4) 融点 | 1820℃ ±20℃ |
(5) 蒸気圧 | 1780℃:1Pa 1930℃:10Pa |
(6) 線膨張率 | 9.19×10 -6 /K |
(7) 比熱容量 | 0.711KJ/KgK |
(8) 硬度 | モース: ルチル 6.0-6.5 モース: アナターゼ 5.5-6.0 ヌープ: ルチル 879Kg/m ㎡ |
(9) 溶解性 | 水に不溶性、硫酸・アルカリに難溶性 |
(10)タイプ分析 | Fe ≦50ppm Co ≦15ppm Cr ≦15ppm Mn ≦10ppm Ni ≦15ppm |
(11) 薄膜特性 | 透光範囲 400~12000nm 屈折率:470nm ~2.4 屈折率:550nm ~2.3 屈折率:630nm ~2.2 膜は加熱基板に蒸着されると非常に硬く耐久性を持ちます。 構造基板温度 200℃以下:アモルファス 基板温度 300℃以上:ルチル |
(12) 蒸発方法 | 電子ビームにて 基盤温度 250~300℃ 蒸発圧力 5×10 -3 to2×10 -2 Pa 凝縮速度 10~20nm/min |
(13) 用途 | 高屈折層膜、レーザーミラーの多層膜、ビームスプリッター、熱線反射鏡 等 |
五酸化タンタル
(1) 分子量 | 441.9 |
(2) 外観 | ダークグレー/白色のタブレットもしくは顆粒 |
(3) 比重 | 8.7g/cm 3 |
(4) 融点 | 1880 ℃ |
(5) 蒸気圧 | 2000℃:1Pa 2200℃:10Pa |
(6) 溶解性 | 水に不溶性、フッ酸に溶解 |
(7) タイプ分析 | Fe ≦30ppm Cr ≦15ppm Cu ≦15ppm Mn ≦15ppm Ni ≦15ppm |
(8) 薄膜特性 | 透光範囲 400~8000nm 屈折率:550nm 2.10 |
(9) 蒸発方法 | 電子ビームにて 蒸発温度 ~2100℃ 酸素分圧 10 -2 Pa 基盤温度 250~300℃ |
(10) 用途 | 反射防止膜、干渉フィルター |
硫化亜鉛
(1) 分子量 | 97.44 |
(2) 外観 | 白色もしくは黄色のタブレット 、 顆粒 |
(3) 比重 | 3.98g/cm 3 |
(4) 融点 | 1800 ℃ |
(5) 蒸気圧 | 970℃:1Pa 1080℃:10Pa |
(6) 硬度 | モース: 3.5-4.0 ヌープ: 178±27Kg/m ㎡ |
(7) 溶解性 | 1×10 -3 g/100g 水で酸に溶解 |
(8) 線膨張率 | 6.1×10 -6 |
(9)タイプ分析 | Fe ≦30ppm Co ≦15ppm Cr ≦15ppm Cu ≦15ppm Mn ≦15ppm Ni ≦10ppm |
(10) 薄膜特性 | 透光範囲 4000~14000nm 屈折率 550nm ~2.3 |
(11) 蒸発方法 | モリブデン、タンタル敷板での電子ムービーにて 蒸発温度 1100℃ 蒸発圧力 10 -3 to10 -4 Pa 基板温度 30~150℃ |
(12) 用途 | 多層膜、ビームスプリッター、反射防止膜 |
酸化ジルコニウム
(1) 分子量 | 123.22 |
(2) 外観 | 白色もしくはダークグレーのタブレット 、 顆粒 |
(3) 比重 | 5.6g/cm 3 |
(4) 融点 | 2700 ℃ |
(5) 沸点 | 4800℃ |
(6) 蒸気圧 | 2400℃:1Pa 2600℃:10Pa |
(7) 線膨張率 | 5.72×10 -5 K(60℃:単斜) |
(8) 比熱容量 | 20℃:0.453KJ/KgK |
(9) 硬度 | モース: 6.5 |
(10) 溶解性 | 水に不溶、硫酸・フッ酸に溶解 |
(11) タイプ分析 | Fe ≦30ppm Cu ≦15ppm Co ≦15ppm Cr ≦15ppm Mn ≦10ppm Ni ≦15ppm |
(12) 薄膜特性 | 透光範囲 250~7000nm 屈折率:基板温度 250℃/550nm 2.05~2.1 基板温度 30℃/550nm 1.8~1.9 |
(13) 蒸発方法 | 電子ビームにて 蒸発温度 2500~2700℃ 蒸発圧力 ~5×10 -3 to2×10 -2 Pa 凝縮速度 10nm/min 基板温度 ~200~300℃ |
(14) 用途 | 多層膜、ビームスプリッター、反射防止膜 等 |